離子推進與離子源 可在高級真空與低級真空下工作 （不論是否通入氣體皆可運作）全球最緊湊／體積最小的離子源 Categories Menu Deposition System Thermo Evaporator E-Beam Evaporator Quantum Computing Deposition System Magnetron Sputtering Systems Molecular Beam Epitaxy (MBE) Pulsed Laser Deposition (PLD) Ion-Beam Sputter Deposition _IBSD Linear and cluster system Plasma System Reactive-Ion Etching ( RIE ) Inductively Coupled Plasma ( ICP ) Electron Cyclotron Resonance ( ECR ) Ion Beam Etching UHV System & Components Laser Heating Barrel EtchersIon Thrust and Ion source 我們的論文 RIE 的模式 CCP RIE（電漿模式） 4 吋晶圓刻蝕 水冷，可選配液氮（LN2）冷卻 由頂部透過 CCP 產生的射頻電漿 具備比 RIE 更好的均勻性，但刻蝕速率較小 ECR 離子源（仍在持續改良中），束斑尺寸為 15 毫米
