AdNaNoTek’s IBSD
離子束濺鍍沉積（IBSD）是一種薄膜沉積方法，其離子產生的機制與靶材是相互獨立分開的。
離子源透過熱燈絲產生的電子與氣體分子碰撞來產生離子，而這些電子會被磁場侷限（在特定區域內）。
接著，這些離子會透過柵極（Grid）產生的電場朝著靶材方向加速。當離子離開離子源時，它們可以（取決於設計）被第二個外部燈絲所產生的電子進行中和。
隨後，這些離子／中和原子會撞擊靶材表面的原子，從而透過動量轉移（momentum transfer）將靶材原子轟擊出來。
這些（被轟擊出來的）原子接著會在基板上冷凝形成薄膜。
離子束濺鍍沉積（IBSD）的優勢在於能獨立控制並測量離子的能量與通量（flux）。由於在沉積製程中可以監測離子束電流，因此該參數可作為材料沉積量的定量測量依據。
此外，由於撞擊靶材的通量是由中和原子所組成，因此不論是絕緣體或導體靶材皆可進行濺鍍。
AdNaNoTek 的 IBSD 系統旨在維持超高真空（UHV）條件，且其樣品傳輸與整體設計均經過精確計算，以確保沉積出高品質的薄膜。AdNaNoTek 的 FBBear 控制軟體讓 IBSD 的操作更加可靠且輕鬆省心。此外，我們豐富的經驗以及與客戶的長期合作，使我們的系統得以持續改進與優化。
AdNaNoTek 的離子束濺鍍沉積（IBSD）系統能夠以極高的品質與極佳的重複性，沉積大面積的薄膜。
IBSD 利用離子源產生聚焦的離子束，並直接對準待濺鍍的靶材。
由於靶材材料是透過動量轉移（momentum transfer）被轟擊出來，而非透過化學或熱製程，因此任何材料（無論是導體或絕緣體）皆可沉積在基板上。
靶材座設計有多個面向，可透過旋轉的方式來切換並沉積不同的靶材。
此外，系統亦包含離子束輔助濺鍍源，能藉由減輕晶格應變（crystal strain），使基板材料與沉積薄膜之間達成漸進式的過渡。
並且，配合遮罩（Mask）系統，這將能夠在薄膜上形成獨特的沉積圖案。
主要規格
- 客製化 SS316L 電解拋光真空腔體
- 極限壓力：5x10⁻⁷ torr
- 真空泵浦與真空計
- 4 吋基板
- 四軸樣品操縱器／加熱台 (XYZ 三軸位移與旋轉)
- 水冷式操縱器／加熱台
- 離子束沉積與輔助源（有柵極：射頻感應耦合電漿型 RFICP / 有柵極：KDC；或無柵極：霍爾效應型 EH）
- 4 個濺鍍陰極（靶源）
- 立方體型靶材組件
- 膜厚監視器
- FBBeam 系統控制軟體
選配規格
- 氧氣（O2）或氮氣（N2）電漿源
- 離子束輔助沉積（IBAD）系統
- 進樣室（Load Lock）內預退火加熱系統
- 真空腔體設計可依需求客製化
- 濺鍍陰極（靶源）
主要應用
- 高品質薄膜沉積
- 低本底壓力（高真空度背景）
- 精確控制離子束能量、電流、粒子種類與入射角
- 所有參數均可在極寬的範圍內近乎獨立地進行控制
- 一致性蒸發（非選擇性蒸發，維持化學配比）
- 萬用薄膜製備方法（適用於任何材料）
系統控制軟體
FBBEAR 軟體是一款多功能控制軟體，用以控制整套 IBSD – 20 系統，包含：操縱器（加熱台）旋轉速度、加熱程序、靶座公轉等。
FBBEAR 可連動控制 EUROTHERM 2408 控制器，針對雷射／燈絲加熱器進行多組 PID 參數的控制、微調與儲存，以滿足不同基板溫度需求並達到最佳精確度。
FBBEAR 的「沉積精靈（Deposition wizard）」功能讓您能毫無負擔地設定、自訂並儲存您的實驗配方（Recipe），從而使沉積製程達到完全自動化。
這也使得在相同實驗參數下，能夠輕鬆重複執行薄膜沉積製程。此外，它還支援數據日誌（Data log）記錄功能，以便檢視過去的沉積參數。FBBEAR 亦能進行數據處理與分析。