在氧氣(Oxygen)或臭氧(Ozone)環境下加熱基板,是否常面臨加熱器損壞的困擾?
為您的脈衝雷射沉積系統(PLD)與氧化物分子束磊晶系統(Oxide MBE)換裝 AdNaNo-Tek 雷射加熱器。
將 Neocera Pioneer PLD 系統升級改裝為 AdNaNo-Tek 雷射加熱器。
主要規格
- 雷射功率:70W - 200W(依不同車型/型號而異)
- 基板尺寸:10x10 mm2(最大可達 6 吋直徑)
- 最大可達 2 吋或 4 吋直徑的樣品雷射加熱器
- 加熱溫度:1200°C ( 10⁻³ torr 及以下)or 1000°C (在760torr以下) 完全相容於富氧或任何大氣環境條件
- ±1°C 的溫度穩定度
- PID 溫度控制
- XYZ 三軸位移運動
- 360° 連續旋轉
- 5° 基板傾斜調整
- 風冷與水冷系統
- 氣動基板擋板
- 透過光學高溫計進行即時溫度監測(單波長,可監測 > 260°C 的溫度)
- 頂尖技術且易於操作的電腦軟體控制
- 適用於高溫應用
- 適用於氧化物或任何大氣環境條件的應用
- 相容於所有超高真空(UHV)系統
- 光纖 (Optical fiber)
- 配有可調式支架的聚焦透鏡
- 用於溫度監測的紅外線高溫計(配有可調式支架)
- PID 溫度控制
- 用於遠端控制的 RS232 通訊埠
- 具備即時溫度監測、控制與警報功能的控制軟體
優勢
- 加熱溫度:1200°C (在10⁻³ torr 及以下)or 1000°C(在10⁻³ torr 及以上)完全相容於富氧或任何大氣環境條件
- 無加熱組件(在真空腔體中)增加蒸氣壓
- 局部加熱區域,加熱過程中出氣量(out-gassing)更低(您可以在更乾淨的條件下進行沉積)
- 5° 基板傾斜調整
- 與傳統基板加熱器相比更容易維護(加熱元件位於真空外部)
- 透過光學高溫計直接測量樣品/基板的真實溫度
選配
- 液氮冷卻
- 客製化操縱器/樣品台
- 脈衝加熱模式
要為超高真空(UHV)薄膜沉積系統設計一款可在富氧或任何大氣環境條件下工作的高溫加熱器,絕非易事。
傳統的加熱材料與機構,其加熱元件材料會產生額外的蒸氣壓,進而限制了系統所能達到的超高真空度;同時,其加熱元件也會發生氧化,進而導致加熱材料劣化並影響製程品質。
目前有一些技術可以用來克服這項問題,例如白金(鉑)加熱元件、經過精心形狀設計的碳化矽(SiC)加熱元件等。然而,每種方法都有各自的缺點,例如維護頻率高、加熱組件因氧化導致壽命短暫等。
AdNaNoTek 的雷射加熱操縱器(樣品台),是為在富氧及任何大氣環境條件下進行超高真空(UHV)薄層沉積時加熱樣品所開發的完美解決方案。它完全不具備其他加熱器所擁有的缺點。
此外,它具備易於使用、結構緊湊、可客製化,以及快速且局部加熱的機構設計。系統配備了光學高溫計以監測溫度,並擁有系統控制軟體,可自動控制雷射加熱參數與製程。
AdNaNoTek 的雷射加熱操縱器非常適用於雷射氧化物/氮化物磊晶技術。
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