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我們不只銷售設備，更為您提供卓越的解決方案

E-Beam Evaporation (電子束蒸鍍)

電子束蒸鍍機為一款多功能的多源沉積設備，可支援多種材料之沉積，包含：

  • 高介電常數（High-k）絕緣材料：二氧化鉿 ($HfO_2$)、二氧化鋯 ($ZrO_2$)、氧化鋁 ($Al_2O_3$)、氧化鈧 ($Sc_2O_3$) 等。
  • 金屬：鋁 (Al)、銅 (Cu)、鉭 (Ta)、鎳 (Ni)、銀 (Ag)、金 (Au)、鈦 (Ti) 等。
  • 元素半導體：矽 (Si) 與鍺 (Ge)。
  • 本公司依據客戶之具體應用需求，提供 EBS 與 JEB 系列電子束蒸鍍機。
Solution

Molecular Beam Epitaxy (分子束磊晶)

分子束磊晶（MBE）系統具備易於操作的特性，其架構設計可靈活配置，適用於 III-V 族與 II-VI 族等新興材料之生長，並支援需與電子束（E-Beam）技術進行系統整合之應用。

  • 可沉積材料包含：半導體、金屬、介電材料、有機材料等。
Solution

Magnetron Sputter (磁控濺鍍)

本設備可依據客戶之具體應用需求，配置直流（DC）或射頻（RF）磁控濺鍍源，其基板承載器（Substrate holder）最大可支援至 8 吋。
透過電阻式加熱器，基板加熱溫度最高可達 1800°C。此外，亦可選配雷射基板加熱器。

Solution

Pulsed Laser Deposition System (脈衝雷射沉積系統)

亦稱為雷射分子束磊晶系統（Laser MBE）。
脈衝雷射沉積（PLD）為另一款功能廣泛且應用普及之薄膜製程技術，廣泛應用於金屬氧化物及多元素複合材料（Multi-combination materials）之沉積。
本公司提供具備不同靶位數量（Targets）之脈衝雷射沉積設備，可支援氧化物半導體、金屬等材料之製程。

Solution

Thermal Evaporator System (熱蒸鍍系統)

熱蒸鍍為另一款功能廣泛且應用普及之薄膜製程技術，主要用於金屬沉積以及低溫複合材料（Low temperature materials）之製程。
本公司提供具備不同配置之熱蒸鍍設備，可支援多種金屬等材料之沉積。

Solution

Ion Beam Sputtering Deposition (離子束濺鍍沉積)

亦稱為離子束濺鍍沉積系統（IBSD）。
離子束沉積（IBD）為一款功能廣泛且應用普及之薄膜製程技術，廣泛應用於金屬氧化物及多元素複合材料（Multi-combination materials）之沉積。
本公司提供具備不同配置之離子束沉積（IBD）設備，可支援多種金屬、氧化物半導體等材料之製程。

Solution

Quantum Computing Deposition System (量子運算沉積系統)

約瑟夫森接面電子束蒸鍍（JEB）群集系統為 AdNaNoTek 的專門沉積系統之一，專門用於製備量子運算元件與相關應用中之約瑟夫森接面。

  • 本公司提供 JEB-2、JEB-3、JEB-4 以及群集系統（Cluster system）。
Solution

RIE System (反應離子蝕刻系統)

反應離子蝕刻（RIE）屬於乾式蝕刻技術，其利用具化學活性的反應性電漿（Chemically reactive plasma），用以移除基板上的沉積鍍層。

Solution
ICP-RIE System

ICP-RIE System (感應耦合電漿反應離子蝕刻系統)

感應耦合電漿反應離子蝕刻（ICP-RIE）屬於乾式蝕刻技術，其利用具化學活性的反應性電漿用以移除基板上的沉積鍍層。該系統具備上部電漿線圈（Upper plasma coil）與基板射頻偏壓（Substrate RF sample bias）配置。

Solution

ECR-RIE System (電子共振反應離子蝕刻系統)

電子共振反應離子蝕刻（ECR-RIE）屬於乾式蝕刻技術，其利用微波與電磁鐵產生具化學活性的反應性電漿，用以移除基板上的沉積鍍層。

Solution

IBE System (離子束蝕刻系統)

離子束蝕刻（IBE）屬於乾式蝕刻技術，其利用離子源（Ion source）產生具化學活性的反應性中性粒子（Chemically reactive neutral particles），用以移除基板上的沉積鍍層。

Solution

Linear and Cluster system (線性與群集系統)

線性傳輸系統（Linear Transfer System）可在不破壞真空（Without break vacuum）的前提下，將基板傳送至不同的子工作站（Sub-station），以進行各式製程與分析。

Solution

Automatic Transfer arm (自動傳輸機械手臂)

自動傳輸機械手臂可在不破壞真空的前提下，將基板傳送至不同的製程腔體（Chamber），以進行各式製程。

Solution

UHV Transfer Robot (超高真空傳輸機械手臂)

自動傳輸機械手臂可在不破壞真空的前提下，將基板傳送至不同的製程腔體，以進行各式製程。該手臂最大可支援（或承載）12 吋晶圓（Wafer）。

Solution

Laser Heater Manipulator (雷射加熱樣品操作器)

雷射加熱器可於富氧環境（Oxygen-rich condition）下，提供基板最高達 1000°C 的工作溫度。無論在大氣（Air）或臭氧（Ozone）環境中，本公司之雷射加熱器均具備優異的運作表現（或卓越的穩定性）。

Solution

採用前沿研發技術與公司團隊

為什麼客戶信任我們

AdNaNoTek 為全球超高真空（UHV）技術與解決方案領域中，深具發展潛力之領先企業。我們專精於研發與製造最先進且具備完全客製化能力的超高真空系統，能全面滿足各種學術研究與工業生產之需求。

本公司之 JEB-4 系統配置有 4 個腔體：
a) 進出料腔體（Load-lock chamber）
b) 離子束蝕刻腔體（Ion beam etching chamber）
c) 主電子束或分子束磊晶（MBE）蒸鍍腔體（Main electron beam or MBE evaporator chamber）
d) 氧化腔體（Oxidation chamber）

高品質技術

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全面客製化能力

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