熱蒸鍍系統 Categories Menu Deposition System Thermo Evaporator E-Beam Evaporator Quantum Computing Deposition System Magnetron Sputtering Systems Molecular Beam Epitaxy (MBE) Pulsed Laser Deposition (PLD) Ion-Beam Sputter Deposition _IBSD Linear and cluster system Plasma System Reactive-Ion Etching ( RIE ) Inductively Coupled Plasma ( ICP ) Electron Cyclotron Resonance ( ECR ) Ion Beam Etching Uhv Design & Components Laser Heating 水冷或液氮冷卻樣品操作器 4 吋樣品操作器 雙石英晶體振盪器（膜厚監控晶片） 訊號回饋 10⁻⁸ Torr（超高真空極限氣壓規格） 4 組熱蒸鍍舟（熱阻式蒸鍍源） 銦金屬蒸鍍製程 於矽基板上蒸鍍 10um 銦金屬鍍層 低溫熱蒸鍍系統 進出料室自動傳輸系統 全電腦化自動控制 2 吋基板 雙熱蒸鍍舟（配置氣動快門） Z 軸 10 cm 位移行程 液氮冷阱（液氮冷指集塵/補集器） 高階電子束蒸鍍系統 適合工業量產應用，具備簡易操作與低維護成本之優勢。 最大可支援 6 吋晶圓（Wafer） 配置 Pfeiffer HiPace 700 渦輪分子幫浦，本底氣壓可達 10⁻⁸ Torr 晶圓進料抽真空僅需 5 分鐘（快速進出料設計）
