熱蒸鍍系統 Categories Menu 薄膜沉積系統 Deposition System 熱蒸鍍系統 Thermo Evaporator 電子束蒸鍍 E-Beam Evaporator 量子運算沉積系統 Quantum Computing Deposition System 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 分子束外延（MBE） 脈衝雷射沉積 Pulsed Laser Deposition (PLD) 離子束濺鍍沉積（IBSD） 線性與群集式系統 Linear and cluster system 電漿系統 Plasma System 反應離子蝕刻（RIE） 感應耦合電漿 ( ICP ) 電子迴旋共振 Electron Cyclotron Resonance ( ECR ) 離子束刻蝕 Ion Beam Etching 超高真空（UHV）系統與組件 雷射加熱 Laser Heating 水冷或液氮冷卻樣品操作器 4 吋樣品操作器 雙石英晶體振盪器（膜厚監控晶片） 訊號回饋 10⁻⁸ Torr（超高真空極限氣壓規格） 4 組熱蒸鍍舟（熱阻式蒸鍍源） 銦金屬蒸鍍製程 於矽基板上蒸鍍 10um 銦金屬鍍層 低溫熱蒸鍍系統 進出料室自動傳輸系統 全電腦化自動控制 2 吋基板 雙熱蒸鍍舟（配置氣動快門） Z 軸 10 cm 位移行程 液氮冷阱（液氮冷指集塵/補集器） 高階電子束蒸鍍系統 適合工業量產應用，具備簡易操作與低維護成本之優勢。 最大可支援 6 吋晶圓（Wafer） 配置 Pfeiffer HiPace 700 渦輪分子幫浦，本底氣壓可達 10⁻⁸ Torr 晶圓進料抽真空僅需 5 分鐘（快速進出料設計）
