磁控濺鍍
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超高真空濺鍍配置高壓反射式高能電子衍射系統（High-pressure RHEED），用於濺鍍薄膜的原位（In-situ）研究。
可根據您特定的沉積需求，提供單一或整合式濺鍍系統。設備使用射頻（RF）和/或直流（DC）磁控濺鍍源，尺寸直徑從 2 吋到 8 吋不等。
我們能提供支援高達 300 mm（12 吋）晶圓的系統，可透過電阻式加熱器加熱至 800 °C，或透過雷射加熱器加熱至 1000 °C，並具備射頻偏壓（RF bias）功能。
本款叢集式（Cluster type）濺鍍機為 4 腔體磁性濺鍍系統，其第二與第三腔體配置了用於清潔與共濺鍍（Co-sputtering）的離子源，左側腔體則進行低溫濺鍍，可讓使用者製備厚度達 10 nm 的薄膜。
主要應用
- 金屬薄膜沉積：鉻 (Cr)、鉬 (Mo)、鋁 (Al)、銀 (Ag)、鈦 (Ti)、金 (Au) 等。
- 磁性金屬：鐵 (Fe)、鈷 (Co)、鎳 (Ni)
- 金屬氧化物：氧化銦錫 (ITO)、鋁摻雜氧化鋅 (AZO)、氧化銦鋅 (IZO) 等
關鍵特點
- 反射式高能電子衍射 (RHEED) 電子槍，用於原位 (In-situ) 表面控制
- 基板溫度最高可達 800 °C（採用電阻式加熱器）或 1000 °C（採用雷射加熱器）
- 全自動化製程控制
- 模組化設計
磁控濺鍍系統屬於物理氣相沉積的一種。在磁控濺鍍沉積製程中，鍍膜/靶材會被放置於磁控陰極上。
腔體首先會被抽至超高真空（UHV）狀態，以減少雜質並確保純淨的鍍膜程序，隨後腔體內會回填製程氣體（通常為氬氣）。
接著，在靶材與基板之間施加電位，這將促使自由電子加速，而來自磁控管的磁場則會將電子局限在靶材附近。
這些電子隨後會與製程氣體發生碰撞，進而產生正電荷離子。部分離子會與電子重新結合並釋放出光線，這可以從觀察到的電漿光芒中得知。另一方面，部分離子會朝向靶材加速運動，並將其表面原子濺鍍出來。
被濺鍍出來的原子接著會飛向基板，進而形成薄膜層。磁控濺鍍需要精確的壓力控制（即控制真空泵系統以及控制製程氣體的進氣流量），以維持電漿光芒並提供足夠的離子數量來濺鍍靶材原子。
AdNaNoTek 的磁控濺鍍沉積系統具備可靠的真空泵系統與軟體控制的質量流量控制器（MFC），以確保達到這些必要的標準。FBBear 系統控制軟體能夠控制製程氣體流速、泵吸氣量與排氣量，以維持足夠的離子數量來濺鍍靶材原子。
