包含
- SUS 316L 24 吋電解拋光腔體
- 基礎壓力：5× 10⁻¹⁰ torr
- 最大晶圓尺寸：4 吋
- 四軸基板操縱器／樣品台（XYZ 三軸與旋轉）
- 最高可達 850 °C 的輻射式基板加熱器
- 4 個 2 吋磁控濺鍍陰極
- 用於 3 個陰極的 Ar、N2、O2 進氣管路
- FBBEAR 全系統控制軟體
選配
- 3 吋濺鍍陰極
- 壓力控制系統：上游控制
- 遮罩／楔形薄膜沉積系統
- 遠端電漿源
- 包含 RFICP（射頻感應耦合電漿）與 KDC 形式的 KRI 離子源
特點
- 基礎壓力：2 x 10⁻¹⁰ torr
- 共濺鍍系統
- 5 個共濺鍍陰極
- 四軸基板樣品台
- 碳化矽（SiC）加熱器 800 度
面對面濺鍍（對焦式配置）配置 6 個樣品托盤／載具，包含一個具備加熱功能的樣品托盤／載具。
