包含
- 由於 ICP 具備高離子密度，因而擁有高刻蝕速率
- 本底壓力：1x10⁻⁶ Torr
- 2 吋基板（最大可達 4 吋）
- 水冷式基板
- 8 路氣體管線
- 低壓製程
- 選擇性刻蝕
- 1kW 射頻 (RF) 產生器
- 壓力控制系統
- 金屬刻蝕
- 福爾摩沙系統控制軟體
特點 / 應用
- 用於電漿子光譜診斷
- 透過靜電吸盤 (ESC) 實現精確的晶圓溫度控制
- 感應耦合電漿質譜分析法
- 高刻蝕速率
- 反應離子刻蝕
- 廣泛的製程參數
- 優異的基板直流偏壓（DC bias）與離子能量控制
- 氣相沉積薄膜技術
選配
- 氦氣背面冷卻
- 12 路氣體管線
- 採用 ECR 微波源以取代 ICP 源
