反應離子蝕刻（RIE） 反應離子蝕刻（RIE）是一種用於微細加工（microfabrication）的蝕刻技術。RIE 屬於乾式蝕刻的一種，它利用具化學活性的電漿來移除沉積在晶圓上的材料。來自電漿的高能離子會轟擊晶圓表面並與之產生反應。 Categories Menu 薄膜沉積系統 Deposition System 熱蒸鍍系統 Thermo Evaporator 電子束蒸鍍 E-Beam Evaporator 量子運算沉積系統 Quantum Computing Deposition System 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 分子束外延（MBE） 脈衝雷射沉積 Pulsed Laser Deposition (PLD) 離子束濺鍍沉積（IBSD） 線性與群集式系統 Linear and cluster system 電漿系統 Plasma System 反應離子蝕刻（RIE） 感應耦合電漿 ( ICP ) 電子迴旋共振 Electron Cyclotron Resonance ( ECR ) 離子束刻蝕 Ion Beam Etching 超高真空（UHV）系統與組件 雷射加熱 Laser Heating RIE System反應離子蝕刻（RIE） 反應離子蝕刻（RIE）的模式 一個典型的 RIE 系統包含一個圓柱形真空腔體，且晶圓托盤（載台）位於腔體的底部。該晶圓托盤與腔體的其餘部分在電氣上是相互絕緣的。氣體透過腔體頂部的小型進氣口進入，並透過底部排出至真空泵浦系統。所使用的氣體種類與用量會依蝕刻製程而有所不同。透過調節氣體流量及／或調整排氣閥孔徑（閥門開度），氣體壓力通常會維持在幾個毫托（millitorr）到幾百毫托之間的範圍內。 ECR RIE 包含 高密度電漿 極限壓力：5x10⁻⁷ torr 工作壓力：10⁻⁴ torr 等級 上部（源）：微波功率 800W 下部（偏壓）：射頻（RF）或直流（DC） 樣品尺寸：4 吋 ICP Etcher 功能 晶圓會直接承受感應耦合電漿（ICP）的功率——這兩個功率源（指上部電漿源與下部基板偏壓）在物理空間上並未被隔開。否則，即使上部區域的電漿密度很高，當它傳輸（移動）到下部區域時，也會因為游離復合（re-combination）與去激發（de-excitation）而流失。 ICP RIE Include ALD function (patent) 功能 反應離子蝕刻 (RIE) 感應耦合電漿反應離子蝕刻 (ICP RIE) 3 道原子層沉積管線 (3 ALD line) CCP RIE 包含 4 吋晶圓蝕刻 水冷／液氮（LN2）冷卻（選配） 上部經由電容耦合電漿（CCP）產生射頻電漿 均勻性優於反應離子蝕刻（RIE），但蝕刻速率較小
