分子束外延（MBE）
AdNaNoTek offers advanced Molecular Beam Epitaxy (MBE) for atomic-layer precision. Achieve high-quality epitaxial thin films with precise control, ideal for III-V and emerging materials.
MBE - 6
Molecular Beam Epitaxy
MBE - 9
Molecular Beam Epitaxy
MBE - 10
Molecular Beam Epitaxy
MBE - Control Software
Molecular Beam Epitaxy
AdNaNoTek 提供先進的分子束外延（MBE）系統，可達到原子級層厚度的精準度。透過精確的控制，實現高畫質/高品質的外延薄膜，非常適合 III-V 族及新興材料。
AdNaNoTek 的 MBE 系統易於使用，其設計可針對 III-V 族和新興材料進行配置，包含需要整合電子束（E-beam）技術的應用。我們的設計允許使用線性傳輸系統，以進行不同的鍍膜與分析。
服務
- 非常適合材料研究與試量產（Pre-production）環境
- 源到基板（Source to substrate）定位取向，配置 8 個分子束外延（MBE）固體源和 6 個原子層沉積（ALD）源端口，並可選擇擴充電子束（E-beam）功能
- 可選配手動或自動化晶圓傳輸
- 液氮冷阱（Cryopanel）、樣品托（Manipulator）、擋板（Shutters）與原位（In-situ）監測設備
- 模組化設計
分子束外延（MBE）是一種超高真空（UHV）沉積技術，用於製備高品質的外延（原子層）薄膜，並能對厚度、成分與表面形貌進行精確控制。這使得 MBE 技術與非超高真空技術相比，能夠生產出品質高出許多的薄膜層。
在 MBE 中，位於噴注源爐（Effusion cell）中的靶材會被小心加熱以提高其蒸氣壓。在超高真空環境（$10^{-9}$ 托）下，蒸氣可以在不發生碰撞的情況下飛向基板，並在基板上凝結，進而形成高純度的外延薄膜層。
儘管概念上看似簡單，但要製造出能達到理想薄膜層品質的系統，仍需要投入巨大的技術努力。
腔體設計、真空環境的細緻控制、源材料的品質、蒸發程序、樣品處理機制以及整體架構，皆需要進行極高精準度的設計，才能在沉積的薄膜層中實現高水準的純淨度、均勻性與界面控制。
AdNaNoTek 的 MBE 系統設計完全滿足了所有這些要求。此外，AdNaNoTek 的 FBBear 系統控制軟體允許使用者將沉積製程完全自動化，並精確控制每個參數，以實現高品質的薄膜。
我們與客戶的長期合作，透過開發不同的分子源以及適應不同的鍍膜沉積需求，極大地擴展了我們的 MBE 技術。
在 MBE（分子束外延）國際會議上，非常榮幸能與「MBE 技術之父」卓以和博士（Dr. Alfred Y. Cho）合影。我們也簡短交流了一些關於外延技術（Epi）的最新動態。
The Father of MBE Technology
