離子束刻蝕 Categories Menu 薄膜沉積系統 Deposition System 熱蒸鍍系統 Thermo Evaporator 電子束蒸鍍 E-Beam Evaporator 量子運算沉積系統 Quantum Computing Deposition System 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 磁控濺鍍 Magnetron Sputtering Systems 分子束外延（MBE） 脈衝雷射沉積 Pulsed Laser Deposition (PLD) 離子束濺鍍沉積（IBSD） 線性與群集式系統 Linear and cluster system 電漿系統 Plasma System 反應離子蝕刻（RIE） 感應耦合電漿 ( ICP ) 電子迴旋共振 Electron Cyclotron Resonance ( ECR ) 離子束刻蝕 Ion Beam Etching 超高真空（UHV）系統與組件 雷射加熱 Laser Heating IBE（離子束刻蝕）系統能夠進行高效能的乾式刻蝕，由於其採用了大面積的考夫曼（Kauffman）離子源，因此可實現奈米級的銑削（milling）、反應性刻蝕以及傾斜角刻蝕。應用於半導體、記憶體與微機電系統（MEMS）領域。光學發射光譜（OES）製程監控與終點檢測。基板可具備旋轉、傾斜、樣品偏壓（bias）及氦氣背面冷卻功能。 薄膜沉積前表面清洗的理想工具 無論基板性質（導電性）為何，皆能提供合理的刻蝕速率 工作氣體：氬氣 (Ar)、氪氣 (Kr)、氙氣 (Xe)、氮氣 (N2)、氧氣 (O2)、氫氣 (H2) 及其他氣體 特別適用於在使用反應離子刻蝕時，刻蝕材料會形成非揮發性化合物的情況 工作壓力：5x10⁻⁴ torr 本底壓力：5x10⁻⁸ torr 離子束尺寸最大可達 14 公分 樣品尺寸最大可達 6 吋 具備旋轉與最高 ±75$ 度傾斜功能的水冷式機械手 模組化設計 FBBEAR 整體系統控制軟體 離子源： KRI RFICP 100 射頻感應耦合電漿離子源 中和器 LFN2000 工作壓力：10⁻³ 至 10⁻⁴ torr 超高真空離子銑削系統 傾斜刻蝕 離子銑削腔體 離子束刻蝕 包含 離子束刻蝕提供 良好的均勻性 可預測的刻蝕速率 高度均勻 採用高能離子進行高衝擊電漿處理 高度可重複性 極低的污染 高設備稼動率/高正常運行時間 利用光罩/遮罩實現特定圖形化 特點 / 優勢 包含 低壓工作環境 產生可控的各向異性（非均向性）刻蝕 允許傾斜剖面控制 三層栅極組件設計 量身定制的栅極設計 低維護需求 精確的終點檢測 具彈性的晶圓處理能力
