量子運算沉積系統

由 AdNaNoTek 開發的約瑟夫森接面 (Josephson Junction) 蒸鍍系統平台,其基本設計包含兩個腔體:

  • 一個是用於超高真空 (UHV) 電子束蒸鍍的腔體。

  • 另一個則用於樣品裝載與膜厚監控晶片更換。

兩個腔體皆具備獨立的抽氣系統,從而為蒸鍍腔體提供超高真空 (UHV) 條件,並實現快速的進料與出料程序。

本設備為安裝於新加坡 A STAR(新加坡科技研究局)的 JEB 金剛石約瑟夫森接面蒸鍍機 (JEB diamond josephson junction evaporator)。

技術優勢
  • 電子束加熱所能達到的溫度高於傳統的燈絲電阻加熱器,其可將標靶材料加熱至 3000 °C 以上。

  • 裝有標靶材料的坩堝放置於冷卻槽內,從而確保蒸鍍程序在緊鄰電子束的區域進行。水冷槽同樣是必需的配置,用以避免蒸鍍過程中標靶材料發生大量氣體釋放(Outgassing),進而提升所沉積材料的品質。

  • 電子束可以直接加熱標靶材料表面,以提高加熱效率。

系統控制軟體

  • FBBEAR 軟體是一款多功能軟體,用以控制整套雙電子束系統,例如:操作器旋轉速度、加熱程序、標靶公轉等。

  • FBBEAR 可控制 EUROTHERM 2408,藉此針對雷射/燈絲加熱器進行多組 PID 參數的控制、微調與儲存,為不同的基板溫度需求提供最佳的精準度。

  • FBBEAR 的蒸鍍精靈 (Deposition wizard) 讓您能夠輕鬆設定、客製化並儲存您的實驗配方(Recipe),並實現蒸鍍程序的完全自動化。這也使得採用相同實驗參數的蒸鍍程序能夠輕鬆重複執行。此外,它還支援數據日誌紀錄,以便審查過往的蒸鍍參數。

  • FBBEAR 能夠進行數據處理與分析。

客戶成果

電子束腔體

電子束蒸鍍的完整程序皆由系統軟體進行全自動化控制,且具備自動關機程序以防止任何異常操作或系統狀態。

電子束樣品操作器

碳化矽(SiC)加熱器、旋轉與傾斜水冷系統

離子銑削腔體

樣品操作器、旋轉與傾斜水冷系統

JEB 樣品操作器

加熱配置選擇

雷射加熱器(用於雷射退火) [Laser Heater for Laser annealing]
可安裝於 JEB-4 進出料室 (Loadlock chamber) 中,以提供高溫退火(超過 1000 °C)製程。

碳化矽加熱器 [SIC Heater] 可安裝於氧化室 (Oxidation chamber) 中,以提供高溫氧化(800 °C)製程。

氧化腔體 (Oxidation Chamber)

氧化腔體配備了 3 位置氣動閥(3-position pneumatic valve)、蝶閥(選配,butterfly valve opt.)、質量流量控制器(MFCs)與快速進氣閥,可輕鬆實現不同的氧化條件,並可透過軟體決定進行動態氧化或靜態氧化。

離子銑削腔體 (Ion Milling Chamber)

JEB - ADV

本款 JEB-2 採用 3 腔體設計,包含一個標準進出料室 (Standard load lock chamber)、超高真空濺鍍沉積室 (UHV sputter deposition chamber) 以及濺鍍室下方的電子束蒸鍍源 (E-beam source under sputter chamber);其中濺鍍室包含氧化、銑削與濺鍍製程 (Sputter chamber include Oxidation and milling and sputter process)。

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