包含
- SUS 316L 24 吋電解拋光腔體
- 基礎壓力：5×10⁻⁹ torr
- 最大晶圓尺寸：4 吋
- 四軸基板操縱器／樣品台（XYZ 三軸與旋轉）
- 輻射式基板加熱器：750 °C
- 4 個 2 吋磁控濺鍍陰極
- 用於 3 個陰極的 Ar、N2、O2 進氣管路
- FBBEAR 全系統控制軟體
選配
- 最高可達 1000°C 的雷射加熱樣品台
- 壓力控制系統：上游控制
- 遮罩／楔形薄膜沉積系統
- 遠端電漿源
- 包含 RFICP 與 KDC 形式的 KRI 離子源
- 直流（DC）、射頻（RF）或脈衝直流電源供應器
特點（磁性材料應用）
- 基礎壓力：5× 10⁻¹⁰ torr
- 共濺鍍（Co-Sputter）系統
- 6 個濺鍍陰極／以及 1 組面對面配置
- 四軸基板樣品台
- 碳化矽（SiC）加熱器 800 度
- 低損傷面對面共濺鍍陰極
High throughput Co-sputter System
